تبلیغات
چی چگونه کار می کند؟ - Flash Memory چگونه کار می کند؟
منوی كاربری

این وبلاگ را صفحه خانگی خود كن !    به مدیر وبلاگ ایمیل بزنید !    این وبلاگ را به لیست علاقه مندی های خود اضافه كنید !

پیغام مدیر : به شما كاربر گرامی سلام عرض می كنم . امیدوارم در این وبلاگ دقایقی خوبی را سپری كنید . برای آگاهی از امكانات این وبلاگ خواهشمندم كه تا آخر صفحه این وبلاگ را مشاهده نمایید .


نظرسنجی
آیا مایلید مقالات به زبان انگلیسی در وبلاگ قرار گیرد؟



آدرس های دیگر
صفحات وبلاگ

لینك به ما / لوگوی دوستان
لینك به ما


لوگوی دوستان

آمار وبلاگ
امروز :

بازدید های امروز :

بازدید های دیروز :

كل بازدیدها :

كل مطالب :

كل نظرات :

ایجاد صفحه : - ثانیه

چهارشنبه 28 اسفند 1387
Flash Memory چگونه کار می کند؟

امروزه کمتر کسی را می بینید که فلش مموری، کول دیسک، کارتهای حافظه و در کل وسایل ذخیره و انتقال اطلاعات به زندگی دیجیتال آنها راه پیدا نکرده باشد. اگر در گذشته انتقال اطلاعات بسیار محدود بود،‌ امروزه این کار را به سادگی هر چه تمام تر می توان انجام داد. فلش مموری هایی که در ابتدا به بازار آمدند دارای اندازه های بزرگ و ظرفیت های کمی بودند ولی به تدریج اندازه و ظرفیت آنها کم و زیاد شدند. usb_flash_memory_keyولی شاید تا به حال به این نکته فکر کرده باشید که فلش مموری ها چگونه کار می کنند؟ اساس کار آنها به چه صورت است؟ در این مقاله سعی من بر این است که این پروسه را تشریح کنم. من در این مطلب از مقاله How flash memory works استفاده کرده ام. در واقع این مطلب ترجمه آزادی از مقاله مذکور می باشد.

فلش مموری ها یکی از انواع تراشه های EEPROM می باشد. EEPROM سرواژه عبارت Electronically Erasable Programmable Read Only Memory می باشد. در واقع می توان گفت که فلش مموری نوعی از حافظه های الکترونیکی فقط خواندنی قابل برنامه ریزی و حذف می باشد. هر فلش مموری شامل ستونها و  سطرهایی است که از سلول هایی تشکیل شده است. در هر یک از این تقاطع ها دو ترانزیستور وجود دارد (به شکل زیر نگاه کنید).

هر یک از این دو ترانزیستور توسط یک لایه نازک اکسید از هم جدا گشته اند. یکی از این ترانزیستورها floating gate و دیگری control gate نام دارند. floating gate از طریق control gate به سطر یا wordline متصل می شود. وقتی که اتصال این دو برقرار است، سلول در حالت ۱ قرار دارد. برای تغییر به حالت ۰ پروسه ای به نام fowler-Nordheim tunneling باید انجام شود.

عمل tunneling برای قرار گرفتن الکترونها در floating gate انجام می شود. در اینجا یک انرژی الکتریکی که معمولا بین ۱۰ تا ۱۳ ولت است، مورد نیاز می باشد. این انرژی از ستونها وارد می شود. این انرژی باعث می شود که ترانزیستورها به صورت یک electron gun عمل کند. الکترونهای گسیل شده در سطح مقابل لایه اکسید قرار می گیرند و به آن یک انرژی منفی می دهند. این الکترونهای منفی به صورت مانعی بین floating gate و ‍control gate عمل می کنند. وسیله مخصوصی به نام سنسور سلول سطح انرژی عبوری از floating gate را تنظیم می کند. اگر میزان انرژی از ۵۰ درصد بیشتر باشد، حالت ۱ ایجاد می شود. و اگر این میزان کمتر از ۵۰ درصد باشد، حالت ۰ حاصل می گردد. در یک EEPROM خالی تمام دروازه ها باز و همیشه حالت ۱ برقرار است. اما این الکترونها می توانند به حالت نرمال یعنی ۱ برگردند. این کار با افزایش میزان ولتاژ امکان پذیر می باشد. فلش مموری از in-circuit-wiring برای تغییر ولتاژ کل تراشه یا قسمتهای از پیش تعیین شده ای به نام blocks  استفاده می کند. این کار باعث پاک شدن ناحیه مورد نظر می شود. این ناحیه قابلیت نوشته شدن مجدد را دارد. فلش مموری ها از انواع قبلی EEPROM ها سریع تر عمل می کنند. دلیل آن هم این است که در انواع قدیمی اطلاعات به صورت بایت حذف می شدند ولی در فلش مموری ها یک ناحیه یا کل تراشه در آن واحد حذف و آماده نوشته شدن مجدد می گردند.

نوشته شده توسط علیرضا ساعت 11:58 ق.ظ موضوع مطلب :‌ كامپیوتر و اینترنت ,

ویرایش شده در - و ساعت -

لینك ثابت | نظرات ()


This Template Designed By Theme.MihanBlog.Com And Davood Jafari
div dir="rtl" style="text-align:center;width:135px">نیازمندیها و آگهی رایگان درجه1